IPA65R190CFDXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至160mΩ，適用于高效率功率轉換設計。柵源電壓范圍為-5V至!6V，具備良好的開關特性與熱穩定性。基于碳化硅材料的特性，器件支持高頻工作，有效降低開關損耗，適用于高密度電源系統中的升壓、降壓及DC-DC轉換電路，尤其適合對功率密度和能效有較高要求的電力電子應用場景。
