GC2M0160120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅場效應管（MOSFET）采用N溝道結構，具備18A的連續漏極電流（ID）和1200V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高電壓和高功率場景。導通電阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。器件基于碳化硅材料打造，具備優異的熱穩定性和開關性能，可滿足高頻、高效率電力轉換需求。主要應用于電源轉換器、新能源設備以及高密度電力系統中，為復雜工況下的電力控制提供可靠支持。
