HT36N1200ADZ_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用寬禁帶半導體技術(shù)，具備高耐壓與低導通損耗特性。其漏極電流（ID）為36A，漏源電壓（VDSS）高達1200V，導通電阻（RDON）為80mΩ，適用于高功率密度和高效能電源系統(tǒng)。該器件具有優(yōu)異的開關(guān)性能與熱穩(wěn)定性，支持高頻、高壓工作環(huán)境，可廣泛應用于新能源發(fā)電、智能電力調(diào)控、精密電源管理及高可靠性電子設備中，滿足復雜應用場景下的性能與穩(wěn)定性需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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