FCPF11N60T-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數(shù)1:ID:15A 參數(shù)2:VDSS:650V 參數(shù)3:RDON:260mR 參數(shù)4:VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID),導(dǎo)通電阻(RDON)低至260mΩ,有助于降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V,支持可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制。基于碳化硅材料的特性,該器件具備優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)性能和高溫工作穩(wěn)定性,適用于高效率功率轉(zhuǎn)換電路。典型應(yīng)用包括高頻開(kāi)關(guān)電源、高功率密度電源適配器、光伏逆變模塊及儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率級(jí)設(shè)計(jì),滿足對(duì)能效和緊湊布局要求較高的場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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