HT39N650ADZ_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:39A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用寬禁帶半導體材料，具備優異的電學性能。其最大漏極電流為39A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻低至60mΩ，可支持高功率密度與高效能設計。該器件具有快速開關響應、低損耗及高熱穩定性等特點，適用于新能源發電、儲能系統、高端電源轉換及精密電子設備中的功率控制與能量管理，滿足高頻、高壓、高效率的應用需求。
