B1D08065E_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：IF:8A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.4V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降低至1.4V。低導通損耗與快速開關特性使其在高頻率電源轉換應用中表現(xiàn)出色，可有效提升系統(tǒng)整體能效。器件利用碳化硅材料的高耐溫與高熱導特性，適用于緊湊型高功率密度設計，廣泛用于高效開關電源、光伏逆變模塊及高壓直流轉換電路中，有助于減小系統(tǒng)體積并提升長期運行穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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