AS1M025120P_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）采用N溝道結(jié)構(gòu)，具備高達80A的連續(xù)漏極電流（ID）和1200V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高功率密度和高頻開關(guān)場合。導通電阻低至25mΩ（RDON），可有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。碳化硅材料的使用使其具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和抗輻射能力，適合在高溫和復雜電磁環(huán)境中使用。該器件廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、高效電源模塊、精密電機控制及高可靠性電子設(shè)備中，為高性能電路設(shè)計提供了堅實基礎(chǔ)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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