AS1M025120T_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）為N溝道增強(qiáng)型器件，最大連續(xù)漏極電流可達(dá)80A，漏源耐壓高達(dá)1200V，適用于高電壓與高功率應(yīng)用場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻低至25mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升整體能效。碳化硅半導(dǎo)體材料賦予器件優(yōu)異的高頻響應(yīng)、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性能，適合復(fù)雜工況下的長(zhǎng)期運(yùn)行。該MOSFET可廣泛用于高效電源變換、可再生能源系統(tǒng)、精密控制電路及高可靠性電子裝置中，滿足對(duì)性能與穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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