CDMSJ22029-650SL-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）低至110mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持可靠驅動與負壓關斷，提升系統穩定性。基于碳化硅材料特性，器件具有優異的高溫工作性能和快速開關能力，適用于高頻率、高效率的電力轉換電路。廣泛用于高性能電源模塊、可再生能源發電單元、服務器電源系統及對功率密度和熱管理要求較高的電力電子設備中。
