P3D06010G2_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.51V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式單管結構，額定正向平均電流（IF）為10A，反向重復峰值電壓（VR）可達650V，適用于中高壓功率應用。其正向導通壓降（VF）典型值為1.51V，在持續導通狀態下具備較低的功耗表現。基于碳化硅半導體材料，器件具有優異的高溫穩定性、極短的反向恢復時間及微小的反向恢復電荷，有效降低開關過程中的能量損耗。可廣泛用于高頻率開關電源、高效能DC-DC轉換模塊、光伏逆變單元及高性能電源適配器等場合，支持高功率密度與高能效系統設計。
