IPA65R150CFDXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至110mΩ，可有效減少導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定柵極控制并提升開關可靠性。基于碳化硅材料的高擊穿場強與優異熱導特性，器件適用于高頻、高壓工作環境。典型應用場景包括高效能電源轉換系統、可再生能源發電中的逆變電路、以及緊湊型高功率密度電源模塊，有助于提升整體系統效率并降低散熱需求。
