SG2M040120LJ_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），具備良好的導通性能與高效的開關(guān)特性。其最大漏極電流ID為60A，導通電阻RD(ON)為40mΩ，有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。碳化硅材料的使用增強了器件的高溫穩(wěn)定性和耐高壓能力，適用于高頻率、高效率的電力電子系統(tǒng)。該器件可廣泛應(yīng)用于新能源、儲能、智能電網(wǎng)及相關(guān)電力電子設(shè)備中，滿足多樣化場景下的性能需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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