R8019KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:13.3A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:200mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有800V漏源電壓（VDSS）和13.3A連續漏極電流（ID），導通電阻為200mΩ，支持高效能功率轉換。柵源電壓范圍-4V至!8V，確保驅動穩定性與器件可靠性。采用碳化硅材料，具備優異的高溫工作能力、高開關頻率特性及低開關損耗，適用于高密度電源系統，如大功率開關電源、光伏并網逆變單元、儲能裝置中的直流變換模塊以及高性能電力轉換平臺，有助于提升系統效率并優化熱管理設計。
