S1M040120H_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品是一款1200V高壓碳化硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備良好的導(dǎo)通特性和高頻開關(guān)能力。在常溫下，導(dǎo)通電阻（RDON）為40mΩ，可承載最大連續(xù)漏極電流（ID）為60A，適用于多種高效能電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。碳化硅材料賦予器件優(yōu)異的熱導(dǎo)率和耐高溫能力，降低了開關(guān)損耗，提高了系統(tǒng)效率。該器件可應(yīng)用于新能源發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)、高精度電源管理及高頻功率變換設(shè)備中，滿足對(duì)性能與可靠性有高要求的使用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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