RSM120080Z_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID為32A，導通電阻RD(ON)低至75mΩ，可有效降低導通損耗，提升系統效率。采用碳化硅材料，具備高耐壓、高熱導率和低開關損耗等特性，適用于高功率密度和高頻開關場景。該器件廣泛應用于高效電源轉換系統、可再生能源系統、智能電網及高精度電機控制等電力電子領域，滿足復雜工況下的穩定運行需求。
