IV1Q06040T3_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:52A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為650V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備40mΩ的導通電阻，可承載最大連續漏極電流52A。其基于碳化硅半導體材料，具備優異的高溫耐受性和高頻開關性能，適用于高效電源轉換系統、可再生能源逆變裝置、儲能管理系統及高頻功率變換設備。該器件在高電壓和高頻率應用場景中可有效降低開關損耗，提高系統整體能效與可靠性，適合對功率密度和熱管理有較高要求的技術方案。
