SG2M040120JH_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:87.5A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:39mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有出色的導通和開關特性。器件最大漏極電流ID可達87.5A，導通電阻RD(ON)低至39mΩ，有效降低導通損耗，提高系統效率。碳化硅材料賦予器件優異的耐高壓與高溫性能，適合高功率密度和高頻開關應用。該MOSFET可廣泛應用于新能源發電、儲能系統、智能電力調控及相關高效能電子設備中，滿足對性能與可靠性要求較高的場景需求。
