PCDB10120G1_R2_00001_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.39V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件，具備10A的正向電流（IF）和1200V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），正向壓降為1.39V，具有較低的導(dǎo)通損耗。基于碳化硅材料特性，器件耐高溫、耐高壓，反向恢復(fù)時間極短，適用于高頻、高效率的功率轉(zhuǎn)換場合。其優(yōu)異的開關(guān)性能可減少能量損耗，提升系統(tǒng)熱穩(wěn)定性。典型應(yīng)用包括高功率密度電源適配器、不間斷電源系統(tǒng)、光伏逆變模塊以及對能效和可靠性要求較高的電力電子變換裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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