S1M040120D_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備高電流承載能力和優(yōu)異的導(dǎo)通性能。其最大漏極電流ID可達(dá)63A，漏源擊穿電壓VDSS為1200V，導(dǎo)通電阻RDON低至32mΩ，能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。碳化硅半導(dǎo)體材料賦予器件良好的熱穩(wěn)定性和高頻工作能力，適用于高性能電源轉(zhuǎn)換設(shè)備，如高效能電源供應(yīng)器、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及對(duì)能效與可靠性有較高要求的高密度電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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