IV1Q12160T4_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:19A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品是一款1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備19A的額定漏極電流能力和160mΩ的導通電阻。基于碳化硅材料的特性，該器件具有良好的耐高溫性能和快速開關響應能力，適用于高效率、高頻率的電力電子系統。可應用于能源轉換、智能電網、通信設備等領域的功率因數校正、DC-DC變換及逆變系統，支持復雜工況下的穩定運行。
