P3D12010G2_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式結構，額定正向電流（IF）為10A，反向重復峰值電壓（VR）達1200V，正向壓降（VF）為1.39V。得益于碳化硅材料的高熱導率和寬禁帶特性，器件具備優異的高溫工作能力、極低的反向漏電流及快速開關特性。適用于高電壓、高效率的電力轉換系統，如高壓電源模塊、可再生能源逆變裝置、服務器級電源供應器以及高密度DC-AC轉換電路。其低導通損耗與快速恢復性能有助于減少系統熱耗散，提升整體能效和運行穩定性，適合對功率密度和可靠性要求較高的應用場景。
