IPD60R380P6-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為260mΩ，支持-5V至!6V的柵源電壓范圍?；谔蓟璨牧系奶匦?，器件具備優異的耐高壓與高溫能力，開關損耗低，適用于高頻率、高效率的電力轉換電路。典型應用包括高效電源適配器、不間斷電源、可再生能源發電逆變裝置及高功率密度DC-DC變換器，有助于提升系統能效與功率密度。
