SM360R65CT2TL-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件適用于高頻開關環境，具備良好的熱穩定性。典型應用包括高效能電源轉換裝置、高功率密度DC-DC變換器、不間斷電源中的逆變電路，以及對能效和散熱要求較高的緊湊型電力電子設備。
