STD11N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至460mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。柵源電壓范圍為-4V至!8V，具備良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻、高壓工作環(huán)境下仍能保持較低的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗，適合用于電源適配器、光伏逆變系統(tǒng)及高效能直流變換模塊等應(yīng)用場合，可提升整體系統(tǒng)能效并減小散熱設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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