IPA60R280P7SXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源電壓（VDSS）與20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至160mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極控制。基于碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件適用于高頻、高效率的功率轉換設計。典型應用包括大功率開關電源、可再生能源發電中的直流變換裝置、儲能系統的功率調節模塊以及高密度電源適配與能量管理設備。
