B1D06065F_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備6A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降低至1.36V，可有效減少導通損耗，提升系統能效。其基于碳化硅材料的特性，支持高頻開關操作，反向恢復特性優異，有助于減小外圍元件尺寸并優化熱管理設計。該器件適用于高功率密度電源轉換場景，如高效開關電源、光伏逆變系統及高可靠性能源模塊，能夠滿足對散熱性能和長期穩定性要求較高的電路需求，是提升整體系統效率的關鍵元件。
