SPA11N60C3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了穩定的開關控制與驅動兼容性。采用寬禁帶半導體材料，具備優異的高溫工作性能與開關特性，可顯著降低系統開關損耗。典型應用包括高頻率DC-DC變換器、高功率密度電源模塊及高效能逆變電路，適合對熱管理與能效有嚴格要求的緊湊型電子設備。
