IV1Q12080T3Z_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有優異的高頻開關特性與低導通損耗。其最大漏極電流ID為36A，導通電阻RDON為80mΩ，能夠在高功率密度環境下實現高效的電能轉換。碳化硅材料賦予器件出色的熱穩定性和耐高溫能力，適用于高效率電源系統，如光伏逆變器、不間斷電源及智能電網相關設備，是提升電力電子裝置整體性能的理想選擇。
