LGE3M80120Q_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有32A的連續(xù)漏極電流承載能力及75mΩ的低導(dǎo)通電阻。基于碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性能，適用于高頻、高功率密度的電力電子系統(tǒng)。其高耐壓與低損耗特性，使其在高效電源變換、新能源發(fā)電、儲能管理以及高精度控制電路中表現(xiàn)出色，為復(fù)雜電路設(shè)計提供了高性能的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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