GC3M0032120K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用碳化硅半導體材料，具備優異的高壓與高效率特性。其最大漏極電流（ID）可達63A，漏源導通電阻（RDON）低至32mΩ，有效降低導通損耗，提升整體系統效率。適用于高功率密度電源轉換設備，如高效能逆變器、智能能源管理系統和高頻率開關電源，支持高效率與高穩定性的電力傳輸。器件具備良好的熱管理能力與可靠性，適用于對性能與穩定性有高要求的電力電子應用。
