GC3M0040120K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅N溝道場效應管（MOSFET）具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和60A的最大漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至40mΩ，展現出優異的高電壓與大電流處理能力。器件基于碳化硅材料，具備出色的熱穩定性和高頻開關特性，適用于高效電源轉換裝置，如光伏逆變系統、儲能變換器、高密度適配器及智能電力調控設備。標準封裝設計便于電路集成，適用于追求高效與高可靠性的應用場景。
