IV1Q12080T4Z_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），具備優(yōu)異的導通與開關(guān)性能。其最大漏極電流ID為32A，導通電阻RDON低至75mΩ，可有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。高耐壓特性使其適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如高效能直流電源、儲能系統(tǒng)及智能電網(wǎng)設(shè)備。器件基于碳化硅材料，具備良好的熱穩(wěn)定性和高頻工作能力，適合對效率與可靠性有較高要求的電力電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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