IV1Q06060T3G_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:39A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為650V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備低導通電阻與高電流承載能力。其最大漏極電流ID為39A，導通電阻RDON低至60mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。相較于傳統硅基器件，碳化硅材料帶來更優的高頻響應與熱穩定性，適用于高密度電源轉換設備，如高效能適配器、儲能系統以及智能能源管理裝置，適用于對功率表現與可靠性有較高要求的電力電子設計。
