GC3M0065100K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1000V 參數3：RDON:65mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1000V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），基于碳化硅材料打造，具備優異的高耐壓與導熱性能。其漏極電流ID為36A，導通電阻RDON為65mΩ，有效降低導通損耗，提升整體能效。適用于高頻、高效率的電力轉換系統，如光伏逆變裝置、智能能源管理系統及高效電源模塊。器件設計注重熱穩定性與可靠性，能夠在較高工作溫度下保持良好性能，適用于多種高性能電力電子應用環境。
