STF15N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為260mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極控制。基于碳化硅材料的特性，器件具有優異的耐高溫性能與高頻開關能力，適用于高效率直流變換、高壓電源轉換及緊湊型功率模塊設計，在提升系統能效的同時，有助于減小無源元件體積與整體散熱需求。
