KXJL65C10T3_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.51V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備10A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），在高效能電力轉(zhuǎn)換中表現(xiàn)出色。其正向壓降（VF）低至1.51V，有助于減少導通損耗，提升系統(tǒng)整體效率。該器件利用碳化硅材料的優(yōu)異特性，具備快速開關(guān)能力和良好的熱穩(wěn)定性，適用于高頻率、高電壓的工作環(huán)境。典型應用場景包括高效電源轉(zhuǎn)換模塊、可再生能源逆變裝置及高密度電源系統(tǒng)，適合對功率密度和能效有較高要求的電力電子設計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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