FCD360N65S3R0-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了器件在高頻開關應用中的穩定驅動與可靠性。得益于碳化硅材料的優異特性，該器件具有出色的耐壓能力、較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適合應用于高密度電源系統、可再生能源逆變裝置及高性能DC-DC轉換器中，滿足對小型化與高效能有較高要求的電路方案。
