CI08S65M3_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅二極管采用獨立式結構，具備8A的正向平均電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降為1.42V。基于碳化硅半導體材料，具有優異的高溫工作性能、低反向漏電流和極短的反向恢復時間，適用于高頻開關環境。該器件可有效提升電源系統的轉換效率，降低熱損耗，減少外圍元件數量。其封裝形式支持高密度電路布局，廣泛用于高性能電源裝置，如通信基站電源、光伏逆變單元、高效率開關電源及儲能系統的能量轉換模塊。
