STD10NM65N-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和6.8A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為460mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。采用碳化硅材料，器件具有優異的耐壓能力與熱導性能，適用于高頻率、高效率的開關電源、直流電壓變換電路及可再生能源發電系統中的功率轉換模塊，有助于提升系統功率密度并減少能量損耗。
