STD12N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和6.8A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為460mΩ，有助于降低導通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料的特性，該器件可在高電壓、高溫環境下運行，同時保持優異的開關性能。適用于高效率電源轉換系統，如大功率開關電源、不間斷電源、儲能系統及可再生能源逆變裝置，尤其適合對功率密度和熱管理有較高要求的應用場景。
