IPD60R385CP-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）為260mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保驅(qū)動可靠性與靈活性。采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的耐高溫與高頻特性，適用于高效率開關(guān)電源、直流變換模塊及可再生能源發(fā)電中的功率轉(zhuǎn)換電路。其低損耗和高熱導(dǎo)率特性，有利于提升系統(tǒng)整體能效與功率密度，適合嚴(yán)苛的電力電子應(yīng)用環(huán)境。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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