IV1D06006F5_DFN8X8_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.32V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式配置，具備6A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降（VF）低至1.32V。采用碳化硅材料，具備優異的熱穩定性和快速開關特性，可有效降低開關損耗并提升系統整體能效。其低反向漏電流和高耐溫能力支持在高頻率、高功率密度環境下穩定運行。適用于高性能電源轉換系統，如高效開關電源、不間斷電源模塊及可再生能源逆變裝置，滿足對功率密度與長期可靠性有較高要求的電力電子應用。
