STF19NM65N-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，具備良好的開關特性與熱穩定性。得益于碳化硅材料的優異性能，器件在高頻、高壓工作條件下仍能保持較低損耗，廣泛應用于高效電源變換器、可再生能源發電系統及高密度電源模塊中，適合對能效和功率密度有較高要求的場景。
