IPD65R600C6BTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和6.8A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為460mΩ，支持-4V至!8V的柵源電壓范圍（VGS）。器件基于碳化硅材料，具備優異的耐壓性能與熱導特性，開關速度快，反向恢復損耗低。適用于高效率、高頻率的功率變換應用，如大功率開關電源、高密度DC-DC轉換器、光伏逆變模塊及儲能系統中的功率級設計，有助于提升能效并減小系統體積。
