MDDG1C120R080K3_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），采用先進碳化硅材料工藝，具備高耐壓與低導(dǎo)通電阻特性。最大連續(xù)漏極電流（ID）為36A，典型導(dǎo)通電阻（RDON）低至80mΩ，可實現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換。適用于高頻率開關(guān)電源、高效能電源轉(zhuǎn)換器及高性能電力電子系統(tǒng)，為復(fù)雜電力環(huán)境下的穩(wěn)定運行提供保障。器件結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合對效率和空間布局有高要求的應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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