G5S12008D_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:8A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.45V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管為獨(dú)立式器件，具備8A的正向電流（IF）和1200V的反向耐壓（VR），適用于高電壓、中等電流的電力轉(zhuǎn)換場景。其正向?qū)▔航担╒F）典型值為1.45V，較傳統(tǒng)硅器件更低，有助于減少導(dǎo)通損耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，該二極管具有優(yōu)異的高頻開關(guān)能力，反向恢復(fù)特性良好，可降低開關(guān)損耗并減小散熱需求。適用于高效率電源系統(tǒng)，如通信電源、光伏逆變器、不間斷電源及高密度DC-DC轉(zhuǎn)換器，支持在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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