VBP112MC30_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V高耐壓碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能。其最大漏極電流ID為36A，導(dǎo)通電阻RDON低至80mΩ，能夠在高電壓和高電流條件下實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換。碳化硅材料的使用提升了器件的熱穩(wěn)定性和高頻工作能力，適用于電源適配器、新能源設(shè)備及高密度電力電子系統(tǒng)中的功率管理與調(diào)節(jié)。器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊，便于集成，適合對(duì)效率和可靠性有較高要求的電力電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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