IPD65R250C6XTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至160mΩ，可顯著降低功率損耗。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定的柵極驅動與可靠的工作特性。碳化硅材料賦予器件優異的高溫工作能力、快速開關速度和高耐壓性能。適用于高效率、高頻率的電力轉換系統，如大功率開關電源、可再生能源逆變裝置、儲能系統的能量管理模塊以及高功率密度電源設備，有助于提升系統能效，減小散熱需求，并支持緊湊型設計。
