IPAN60R210PFD7SXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻低至160mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了驅(qū)動兼容性與可靠性。得益于碳化硅材料的特性，該器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，可有效降低開關(guān)損耗與系統(tǒng)熱耗。典型應(yīng)用場景包括高密度電源轉(zhuǎn)換、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的直流變換模塊以及高要求的電力傳輸與分配設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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