BCL65S10D3_DFN8X8_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.37V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式配置，具備10A的正向電流（IF）和650V的反向重復電壓（VR），正向壓降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關特性與高溫工作能力，反向恢復時間極短，可顯著降低開關損耗。其高耐壓與低導通損耗特性適用于高效率直流-直流轉換器、高性能電源模塊及可再生能源發電系統中的功率轉換電路，適合對能效和功率密度要求較高的應用場景，有助于提升系統整體效率與熱性能表現。
